设备简介：
该系统由中科院沈科仪公司与我校联合研制，系统由磁控溅射室和离子束沉积室组成，两室共用一个样品室，在样品室通过两套90º交叉的磁力进样机构完成对磁控室和离子束沉积室的装样、取样程序。主要组成部分有磁控溅射室、磁控溅射靶、样品水冷和加热转盘、直流电源、射频电源、离子束溅射室、Kaufman离子枪及电源、四工位转靶、进样室、载样架、RF反溅靶、样品退火炉、磁力送样机构、真空泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统和微机控制镀膜系统组成。
功能介绍：
磁控室可以进行直流直靶位溅射、射频直靶位溅射，直流斜靶位溅射和直流三靶位共溅射镀膜；靶位采用永磁水冷结构；样品转盘上有六个样品台，一个可以将镀膜基底最高加热到600℃，其余样品台为水冷结构；镀膜由计算机软件系统控制完成。
离子束室安装Φ3mm kaufman型样品清洗和辅助沉积离子枪和Φ3mm kaufman型溅射离子枪各一台；四工位转靶一支（水冷结构），设计上考虑了从外部引入激光辅助镀膜；样品转盘上有两个样品台，一个水冷结构，一个加热结构（最高加热温度600℃）；镀膜由计算机软件系统控制完成。
进样室载样架通过升降操作，可储存最多8片样品；可进行镀膜前的RF反溅清洗；样品退火炉可加热样品基片至800℃。磁力传样机构可将样品从载样架送至磁控室或离子束室样品台。
应用范围：
可用于开发纳米级的单层/多层功能膜—各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等。镀膜方式有直流直位、斜位和射频直位溅射镀膜，多靶位直流共溅镀膜，以及离子束沉积镀膜。此外，也可进行真空退火。